BD139 Transistor BJT NPN 80V

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BD140 Transistor BJT PNP 80V

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BD139 Transistor BJT NPN 80V - 1.5A TO-126, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 80VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
700,00 $
Disponibilidad: Disponible
SKU
410-7

Principales Características: 

  • Tipo de Encapsulado: TO-126
  • Transistor complementario BD140
  • Transistor equivalente a BD135, BD137, NTE184, NTE375
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
  • Voltaje Colector - Emisor (VCE): 80V
  • Voltaje Colector - Base (VCB): 80V
  • Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
  • Corriente Colector (IC): 1.5A
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
  • Ganancia Máxima (hFE): 250
  • Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz