IRF1405 Transistor Mosfet

Transistor mosfet IRF1405 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 °C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

175 ° C Temperatura de trabajo

Valor dinámico dV / dt

Totalmente avalancha

Automotriz calificado

Aplicaciones: Automoción

CARACTERISTICAS:

• Polaridad: CH-N
• Tensión drenado-fuente: 55 V
• Corriente de drenaje continua: 169 A
• Disipación de potencia: 330 W
• Tensión umbral: 4 V
• Tensión Vgs de prueba Rds(on): 10 V
• Resistencia en estado conductor Rds(on): 0.0053 Ohms
• Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 175 °C
• Encapsulado: TO-220
• Número de pines: 3

IRF1405 Datasheet