Transistor BD136 Media Potencia
transistor bipolar tipo BJT en juntura PNP para aplicaciones de conmutación y lineales de media potencia integrado en un encapsulado tipo TO-126.
900,00 $
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SKU
410-3
Caracteristicas
- Polaridad del transistor: PNP
- Voltaje colector base VCBO: - 45 V
- Voltaje colector emisor VCEO: -45 V
- Voltaje emisor base VEBO: -5 V
- Corriente de colector DC: 1.5 A
- Disipación de potencia Pd Tc=25°C: 12.5 W
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-126
- 3 pines
