BD140 Transistor BJT PNP 80V

BD140 Transistor BJT PNP 80V

BD139 Transistor BJT NPN 80V

BD139 Transistor BJT NPN 80V

LM393 SMD

LM393 SMD

BD140 Transistor BJT PNP 80V

BD140 Transistor BJT PNP -80V / -1.5A TO-126, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 80VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
800,00 $
Disponibilidad: Disponible
SKU
410-8

Principales Características: 

  • Tipo de Encapsulado: TO-126
  • Transistor complementario BD139
  • Transistor equivalente a BD136, BD138, NTE374
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
  • Voltaje Colector - Emisor (VCE): -80V
  • Voltaje Colector - Base (VCB): -80V
  • Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
  • Corriente Colector (IC): -1.5A
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
  • Ganancia Máxima (hFE): 250
  • Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz